【本報綜合報導】集邦科技13日發布調查報告指出，美國商務部近期基於《晶片法案》釋出補貼細則，明文規定獲補助者未來10年在中國大陸、北韓、伊朗與俄羅斯等，將被限制包含先進製程與成熟製程在內的相關投資活動，且本次法案更新條款限制範疇，將比出口禁令更廣泛，恐進一步降低跨國半導體業者未來10年在大陸的投資意願。

集邦表示，美國《晶片法案》將使供應鏈去中化影響程度加劇。且隨著日本、荷蘭陸續宣布將加入制裁行列，恐導致同時可用於生產16奈米以下，及40和28奈米等成熟製程的關鍵曝光設備深紫外光（DUV），被畫入禁令範疇，再加上本次《晶片法案》限制，意即中系晶圓代工業者、跨國晶圓代工業者，在大陸的擴產計畫 ，不論是先進或成熟製程，皆可能受到程度不等的抑制。

集邦指出，2023年上半年開始，IC設計業者或因終端客戶要求、自主風險規避等因素，陸續轉單或新開案至台系晶圓代工業者，尤以成熟製程為生產主力的世界先進、 力積電明顯受惠。對現階段遭庫存修正衝擊、產能利用率低落的晶圓代工廠，無疑為一大助益，預期至2023下半年至2024年對產能利用率的挹注將更顯著。

台積電則在本次更新的法案中首當其衝，主要是因其在中美兩地均有擴產計畫所致。目前台積電在大陸的擴產，以28奈米為主，且已於2022年啟動，擴產相關設備均已陸續移入，加上2022年10月後台積電已取得為期1年之相關設備進口許可，預計2023年中前將擴產完畢。

3大廠擴產 鎖定韓、美

據《晶片法案》新細則來看，台積電獲美補貼後10年內，Fab16的16／12nm以及28／22nm產能擴充將受限，且當中85%產出須滿足中國當地市場需求，加上美出口規範要求跨國晶圓代工業者，需申請設備進口許可證等，將降低台積電未來在大陸的投資意願。

DRAM供應方面，《晶片法案》新細則規定適用於18奈米nm以上製程為主，3大原廠中SK海力士（SK hynix）已計畫將無錫廠DRAM產出比重，從48%降低至44%，新廠將拉回於南韓興建；三星與美光在大陸並無DRAM產能，未來擴產計畫也會以南韓、美國兩地為主。

集邦表示，基於3大原廠的擴產計畫預估，在南韓DRAM產能比重持續上升的同時，大陸DRAM產能占全球比率將逐年降低，預估2023~2025年中國DRAM產能，占全球比重將從14%下滑至12%。  

陸廠產能占比 逐年降低

3大原廠NAND Flash布建，也會加重在非大陸區比重，大陸NAND Flash產能擴張及製程升級將受限，預估2023~2025年大陸NAND Flash產能，占全球比重將從31%跌至18%。