【記者曾博群台北報導】國立陽明交通大學今日舉行終身講座教授施敏院士《半導體元件物理學》第四版新書發表會。同時，施敏院士也將其2021年獲頒之「未來科學大獎」獎座捐贈予校方作為紀念典藏。

陽明交大表示，施敏於1967-1969年所撰寫的《半導體元件物理學》，起先用於交大電子研究所上課講義，後續受全球矚目翻譯成6國語言、發行超過300萬冊，被全世界半導體和積體電路領域師生、研究人員及相關產業不斷地引用，成為全球最暢銷的「半導體界聖經」。

因應日新月異的新科技與技術，今天發表的第四版上、下冊，與十五年前出版的第三版差異在於因應元件概念與性能的突破，不僅有50% 的材料資訊被校正或更新，更加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、晶格—溫度方程式等，完整呈現和修訂最新元件發展的觀念、性能和應用。

引領全球半導體元件開發的施敏院士，去年獲「未來科學大獎」之「數學與電腦科學獎」，今將此重要獎座捐予陽明交大典藏。除此之外，現場也展出施敏院士過往陸續贈予校方的快閃記憶體高峰會頒發的終身成就獎座(2014年)、全球電機電子工程師學會（IEEE）所頒贈最高榮譽「尊榮會員（Celebrated Member）」獎座(2017年)；以及施敏院士於1964年最早發表的浮閘記憶體論文、《半導體元件物理學》英文手稿等珍貴史料。

施敏院士1963年取得美國史丹福大學電機博士，進入知名研發重鎮貝爾實驗室(Bell Labs)，和貝爾實驗室同事姜大元博士，共同發現了「浮閘記憶體效應」。由此理論的基礎概念衍生出多種記憶體，其中「快閃記憶體」為現今「數位時代」之核心元件。

施敏院士的成就與貢獻備受國際推崇，是少數當選中央研究院院士、美國國家工程院院士以及中國工程院外籍院士的三院院士；也曾獲工研院院士、全球「快閃記憶體高峰會」（Flash Memory Summit）「終身成就獎」以及「未來科學大獎」。