【本報綜合報導】5G、電動車等終端應用市場需求爆發，推升全球功率和第3代半導體火紅。台廠在台積電領頭下，包括世界先進、環球晶、漢磊、富采、太極等業者均投入相關業務，從磊晶、設計、晶圓代工到封測，逐步打造完整產業鏈，「第3代半導體國家隊」儼然成形。

國際半導體產業協會（SEMI）昨發布最新報告預估，全球功率和第3代半導體晶圓廠設備支出快速擴張，估今年投資額年增約20%、達70億美元（約新台幣1960億元），創新高。

SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，台灣在以矽為基礎的半導體產業有很好的基礎與能量，因應近年化合物半導體需求席捲全球，SEMI率先串聯台灣廠商，透過全方位的溝通平台，持續推動跨區域資源媒合、進行國際標準建立與政府政策倡議。

氮化鎵製程 最快年底小量生產

國內發展第3代半導體的相關業者中，龍頭台積電已與客戶合作開發多年，去年與總部位於瑞士日內瓦的意法半導體，一同宣布加速市場採用氮化鎵產品，並已促成累計超過1300萬顆氮化鎵晶片出貨。

台積電轉投資世界先進也加足馬力，其氮化鎵（GaN）製程最快今年底、最遲明年上半年開始可小量生產。此外，全球第3大、台灣最大半導體矽晶圓廠環球晶，以及漢磊、嘉晶等中小型晶圓廠也積極投入。

環球晶董事長徐秀蘭先前提到，投入耕耘第3代半導體領域已有數年時間， 往後的新應用都具有高壓、高頻與高容量特性，例如汽車電池、5G基地台應用等，這些並不是用矽材料做不到，只是散熱表現可能沒有利用化合物半導體來得好，所以後續第3代半導體的成長速度可預期會很快。

漢磊布局碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體元件多年，其SiC更是台灣半導體業唯一已建置4吋與6吋產能的廠商。嘉晶則推廣超接面（super junction）功率金氧半場效電晶體（MOSFET）多層次／埋藏層磊晶，以及次世代新材料GaN及SiC磊晶產品，以因應電子電力市場上省電及提升能源轉換效率要求。

第3代半導體商機誘人，吸引LED晶粒大廠富采、太陽能廠太極透過子公司晶成半導體及盛新材料投入，預計明年起顯著貢獻營收。

化合物半導體計畫 明年起推動

面對SEMI提出第3代半導體國家隊概念，經濟部工業局昨天回應，該倡議與政府所提出的半導體設計、技術及材料在地化目標不謀而合，台灣自2016年以來，政府即規畫藉半導體產業優勢推動5+2產業創新應用，並期許半導體產業成為「6大核心戰略產業」的推動動力，推升台灣在全球產業價值鏈地位。

行政院預計於2022年起推動化合物半導體計畫，內容包括將聚焦關鍵的材料及設備自製為目標，這當中包含國內業者的開發補助，研究機構的前瞻技術研究，如長晶設備、磊晶製程材料、高頻高功率封裝材料等，以及產業上、中、下游更甚至於終端應用的串接等。