【本報綜合報導】全球微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）宣布，已找到方法強化晶片製造設備的光源功率，預計可在2030年底前讓晶片產量提升最多5成，突顯儘管美國和中國大陸都想改變ASML幾近獨占地位，它仍與競爭者保持極大技術差距，不僅其最大客戶台積電是最大受益者，對於渴望取得更強大效率的AI兩大關鍵晶片、AI加速器和高頻寬記憶體（HBM）廠商而言也是好消息。

每小時產出晶圓 達330片

ASML研究員發現方法，能將全球最先進的極紫外光（EUV）微影設備的光源功率，從現今的600瓦特提高至1000瓦特，最大好處是光源功率愈強，每小時能生產更多晶片，有助降低每顆晶片的成本。晶片印製方法類似相片，用EUV光線照在塗有光阻劑的矽晶圓上；光源功率愈強，晶片曝光時間愈短。

ASML宣布這項消息之所以引發半導體市場震撼，在於提升EUV的光源輸出功率後，就提高EUV產出晶圓的效率，從每小時約220片提升至330片。

目前1台最貴的EUV設備要價高達3億到4億美元（約台幣94億至125億元），晶圓廠買來的目的就是要生產更高效能的晶片，但為什麼得花這麼多錢去買這麼昂貴的設備？原因就是晶片設計愈來愈複雜，相同的面積得放入數百億顆甚至千億顆電晶體，意謂曝光在矽晶圓上的線寬愈做愈小，傳統光源已經「畫不出來」。

EUV就是要讓晶片內的線路更細且要盡快縮短曝光時間，專程打造出來的微影設備，波長比原本的深紫外光（DUV）更短，只有13.5奈米，波長等於只有DUV的14分之1，但解析度卻大幅提高。

EUV的曝光原理即利用極高強度的雷射光源，透過雷射放大器形成雷射光束，以每秒5萬次速度擊中約3分之1人類髮寬的錫滴，產生EUV光源，之後再經過精密的反射鏡組引導到需要曝光的晶圓上。

沒有EUV 就無7奈米以下製程

依照晶片設計原理，電晶體愈小，可讓晶片效能更高、功耗更低、密度更高。但當線寬進入7奈米以下時，傳統DUV已經接近物理極限，必須由EUV接棒扮演更精細曝光的工作。換句話說，沒有EUV，就沒有7奈米以下，尤其是5奈米、3奈米，甚至是即將量產的2奈米製程。EUV微影設備，甚至被視為AI兩大關鍵晶片如GPU（或ASIC）及高頻寬記憶體必要生產設備。

ASML宣布透過提升關鍵晶片製造設備的光源功率，預計可在2030年底前讓晶片產量提升最多50%。無疑將讓目前生產這些重要AI關鍵晶片的台積電、三星、英特爾、SK海力士和美光，將在現有EUV生產系統上，提高這些重要AI晶片和記憶體的產量，對AI由雲端向邊緣端快速發展的半導體產業，帶來決定性的貢獻。