【本報綜合報導】路透報導，中國大陸科學家在深圳一處高度保密實驗室完成一台極紫外光（EUV）曝光機原型機，希望2028年前用以生產晶片。該設備是製造先進半導體的核心技術，過去一直被禁止輸入中國。

消息人士透露，這台原型機今年初完成，目前正在測試中，這台設備由荷蘭半導體巨頭艾司摩爾（ASML）的一個前工程師團隊打造，他們對ASML的EUV進行逆向工程。

深圳這台設備據傳已可以運行，並能成功產生極紫外光，但尚未生產出可用的晶片。北京當局目標在2028年前使用這台原型機生產出可用晶片。不過，知情人士表示，更實際的時間表是2030年，這仍比分析師預估的時間提前數年。

艾司摩爾執行長福克今年4月表示，中國要開發這類技術還需要「很多很多年」。但這台原型機，意味中國可能比外界預期提早數年實現半導體自主。儘管如此，中國仍面臨重大技術挑戰，尤其是複製由西方供應商生產的高精度光學系統。

知情人士說，二手市場上能找到來自艾司摩爾舊機型的零組件，對中國打造出一台國產原型機有莫大助益。報導指出，此計畫隸屬國家半導體戰略。根據官方媒體報導，這一戰略由大陸國家主席習近平的親信、中共中央政治局常委兼中央科技委員會主任丁薛祥負責統籌。知情人士形容這是中國版「曼哈頓計畫」，也就是美國二戰時研發核武的行動。北京的目標是讓中國最終能夠使用完全本土製造設備生產先進晶片，將美國100%踢出供應鏈。

艾司摩爾在聲明中回應：「可以理解其他企業希望複製我們的技術，但要辦到這一點絕非易事。」

美國從2018年起開始向荷蘭施壓，阻止艾司摩爾向中國出售EUV系統。