圖為盧志遠與旺宏電子研發的3D NAND架構模型。圖/旺宏電子提供
【記者羅智華新竹報導】美國物理學會日前公布,旺宏電子總經理盧志遠博士獲頒2024年George E. Pake Prize(喬治佩克獎),表彰他在物理原創研究貢獻,將於明年三月由美國物理學會大會授獎。喬治佩克獎被譽為產業與應用物理領域最高榮譽之一,盧志遠亦是近40年來大中華地區首位獲此殊榮的華人公司企業家,彰顯台灣半導體在前瞻學術研究與產業研發成果深獲肯定。
於1983年成立的喬治佩克獎,旨在表彰在學術研究獲傑出成就並在產業中展現卓越領導的物理學家。過去獲獎者包括美國國家工程院、美國國家科學院、美國總統科技獎得主、以及諾貝爾獎得主等知名科學家。
盧志遠於1977年取得哥倫比亞大學物理博士後,先任教於陽明交通大學,1984年受聘至美國AT&T貝爾實驗室領導研究計畫,並於1989年受邀出任工研院電子所副所長,主持台灣最大科專計畫─經濟部次微米計畫,完成台灣DRAM獨立研發及量產技術,不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力,更將台灣推向世界科技舞台,他迄今已發表超過580篇學術及技術論文,擁有160餘項國際專利,學術與研發成就有目共睹。
不只如此,盧志遠於1999年加入旺宏電子後,還帶領研發團隊締造多項非揮發性記憶體創新技術突,包括全球第一顆4 bit per cell 的1Gb Flash晶片、以3D NAND/NOR等技術實現同等於sub 3nm Tera-bit非揮發性記憶體的相關應用,致力於實現以記憶體為中心及固態硬碟等相關應用,以及打造超高速、超高容量的3D記憶體解決方案,與結合AI運算邁向「存算一體」的高規格記憶體前瞻需求等。
盧志遠表示,美國物理學會榮譽獎項,是驅使研發人員不斷前進的夢想,獲頒George E. Pake Prize更是作為物理學家能學以致用,將所學轉化為應用科技的榮譽,這項榮耀不僅是肯定他個人,亦屬於旺宏電子與研發團隊的努力。