【本報綜合外電報導】首爾經濟日報引述產業人士報導，三星電子在獲得美國允許，無限期豁免於美國對中國大陸實施的半導體設備出口限制措施後，三星將讓位於大陸西安的NAND廠升級，以便生產堆疊層數達到236層的晶片。

報導說，三星電子已經下了設備採購訂單，其西安廠預期今年年底前就會接收到設備。目前三星的西安廠主要生產128層的NAND晶片。

這波生產升級也會促成自然的產量減少，以便重新平衡市場的供需情勢，因為236層的第八代NAND產量比128層的第六代NAND產量少了30%。

美國商務部13日在聲明中說，美國允許南韓三星電子和SK海力士持續讓位於中國大陸的工廠接收特定的美國半導體製造設備。

另外，台積電也已發表聲明說，已獲授權持續在南京營運，且正在申請在中國大陸營運的無限期豁免，預計將取得授權。