【本報綜合報導】陸媒快科技報導，南韓半導體業界對中國大陸在高頻寬記憶體（HBM）領域的追趕速度愈發警戒，多位南韓專家示警，中韓HBM技術差距估算在2至6年之間。

報導表示，大陸企業雖尚未進入先進HBM穩定量產供貨階段，但依託在通用動態隨機存取記憶體（DRAM）上累積的生產經驗，追趕節奏明顯加快。

高麗大學電機電子工學部教授申昌煥認為，中韓之間的差距已縮小至2年左右，原因是HBM的世代更換周期比DRAM更快。漢陽大學全球文化通商學部教授白瑞仁直言若大陸以不計成本的姿態進攻，差距可能再縮短1年。

TechInsights資深副總裁崔正東則認為，僅從產品世代看，中韓相差一至二代，但把量產良率等一併計入，實際差距為4至5年。