美國晶圓廠建設速度長達736天 大陸急起直追

 |2024.02.17
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CSET最新報告,美國晶圓廠的建設速度幾乎已經是全球最慢的,而大陸正在極速追趕上來。圖/美聯社

【本報綜合外電報導】根據美國喬治城大學沃爾什外交學院智庫CSET(安全和新興技術中心)的最新報告,美國晶圓廠的建設速度幾乎已經是全球最慢的,而大陸正在極速追趕上來。

快科技報導,報告顯示,自1990年代以來,全球共新建了635座晶圓廠,平均建造時間為682天。

建造速度最快的是日本,平均只要584天,然後是南韓的620天、台灣的654天、歐洲和中東690天、大陸701天。

美國則需要長達736天,只比東南亞的781天略好。如果畫分不同時段來看,美國的情況更不樂觀。

報告提到,1990年代和2000年代,美國平均只需675天就能建造一座晶圓廠,進入2010年則要花費918天。

同時,大陸和台灣分別縮短到了675天、642天。

進入2020年代,美國的晶圓廠建設更是困難重重,經常無法按期完工。

例如台積電位於亞利桑那州的Fab 21又延後了一年,Intel位於俄亥俄州的工廠從2025年延後到了2026年底,三星位於德州的工廠跳票到了2025年。

數量方面美國也在快速下滑,1990年代新建了55座,2000年代只有43座,2010年代則僅22座,合計120座。

同期,大陸分別新建了14座、75座、95座,合計184座,比美國多了足足一半。

儘管美國制定了「晶片法案」,推動半導體製造回流本土、抑制競爭,但效果不佳。

CSET強調,美國晶圓廠建設放緩,最大阻礙就是各種各樣、紛繁複雜的法律法規,看似對公眾有益,但嚴重阻礙了半導體發展,建議刪除那些沒必要的冗餘條款,為半導體業開綠燈。

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