半導體空汙管制加嚴 違者最高可罰2000萬

 |2023.05.04
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示意圖,非本文所指廠區或企業。圖為中科台中園區。圖/中科管理局提供

【本報台北訊】環保署今修正發布「半導體製造業空氣汙染管制及排放標準」,增訂新設製程排放標準、改變全廠總排放量管制為個別排放管道濃度管制、強化自主監測及簡化定期檢測、修正目前管制上遭遇的問題,預估約有28家業者受影響,未來若未能符合標準,依空汙法可處10萬至2000萬罰鍰。

環保署空保處說明,本標準自1999年1月6日發布實施後,迄今已10餘年未檢討修正,經通盤檢討歷年執行實績及面臨的問題後,修正標準以提高目前半導體產業空汙防治及管理機制。

空保處表示,原標準為不分規模以全廠揮發性有機物(VOCs)總排放量不得超過每小時0.6公斤,本次修正後加嚴標準,改以個別排放管道VOCs濃度須小於14 ppm、酸氣(硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸及硫酸)濃度小於0.5 ppm。

另增訂新設製程VOCs濃度不得大於10 ppm、酸氣濃度不大於0.3 ppm的排放標準,督促新建廠房或新設製程,應選擇環境友善或防制效能較佳設備;空保處預估,修正標準後,可減少286公噸VOCs及12公噸酸性氣體排放量,相當於一座煉油廠4個月的排放量。

空保處指出,目前列管業者總計213家,其中28家恐因標準加嚴而受影響,主要以中、小型業者為主,但會給2年緩衝期改善,未來若仍未能符合標準,可處10萬至2000萬罰鍰;而較大型的業者如台積電,因自身訂定的排放標準較本標準高,基本上不受影響。

另本標準需配合「公私場所應定期檢測及申報之固定汙染源」,簡化整合空汙法涉檢測相關規定,同時針對排放濃度高且易致屋染之虞者,應設置相關排放監測儀器以強化自主管理,有效減少汙染物洩漏排放。

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